Infineon SIPMOS® Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS126IXTSA1

RS Stock No.:: 236-4397
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS126IXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS® Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS126IXTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB8,583.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,183.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB2.861	THB8,583.00
6000 - 6000	THB2.718	THB8,154.00
9000 +	THB2.582	THB7,746.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 236-4397
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS126IXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	21mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	SIPMOS®
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	700Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	0.5W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.4nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3mm
	Width	1.4 mm
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 21mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series SIPMOS®
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 700Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 0.5W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.4nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3mm
	Width 1.4 mm
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSS126IXTSA1

The Infineon 600V N-channel small signal depletion-mode MOSFET is Pb-free lead plating, RoHS compliant and halogen-free according to IEC61249-2-21. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications. It has Industry standard qualification level.

High system reliability

Environmentally friendly

PCB space and cost saving

dv/dt rated

Infineon SIPMOS® Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS126IXTSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง