Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 165-7534
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS127H6327XTSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB11,499.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,303.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB3.833 | THB11,499.00 |
| 6000 - 9000 | THB3.718 | THB11,154.00 |
| 12000 + | THB3.606 | THB10,818.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-7534
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS127H6327XTSA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | SIPMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.3 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.9mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series SIPMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.65nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Width 1.3 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.9mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127H6327XTSA2
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS126H6327XTSA2
- Infineon SIPMOS® Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23 BSS126IXTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP125H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSP135H6327XTSA1