Infineon BSS127I N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127IXTSA1

RS Stock No.:: 225-0559
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS127IXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BSS127I N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS127IXTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (100 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 100)*

THB455.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB487.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
100 - 100	THB4.55	THB455.00
200 - 200	THB4.436	THB443.60
300 - 300	THB4.325	THB432.50
400 - 400	THB4.217	THB421.70
500 +	THB4.112	THB411.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 225-0559
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS127IXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	21mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	SOT-23
	Series	BSS127I
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.65nC
	Maximum Power Dissipation Pd	0.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.7mm
	Height	1.8mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 21mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type SOT-23
	Series BSS127I
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.65nC
	Maximum Power Dissipation Pd 0.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.7mm
	Height 1.8mm
	Standards/Approvals No
	Width 3.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet-BSS127IXTSA1

Infineon BSS127I Series MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 21mA Maximum Continuous Drain Current - BSS127IXTSA1

This MOSFET is a Compact N-channel enhancement device designed for general switching in surface-mount applications across a wide ambient range. It is intended for circuits requiring a high-voltage transistor with modest current capability and a standard three-pin SOT-23 package for board-level integration.

Features and Benefits:

• 600V drain tolerance enables high-voltage switching capability
• 0.5W power dissipation limits thermal load in tight designs
• 21mA continuous drain current suits low-current signal switching
• 0.65nC gate charge supports Faster gate transitions with low drive
• 600Ω drain-source resistance provides predictable off-state leakage
• 20V gate rating permits Interface with common logic-level drivers

Applications

• Suitable for high-voltage signal switching in control circuits
• Ideal for low-current power steering of relays and solenoids
• Used with logic drivers where low gate charge reduces losses
• Can be used for board-mounted level-shift and protection circuits
• Appropriate for Compact surface-mount modules requiring small packages

What temperature range can it tolerate in industrial settings?

It operates reliably from -55°C up to 150°C.

How does the device’s diode-related characteristic affect designs?

The forward conduction threshold is 1.2V which informs diode conduction considerations in circuits.

What mounting and pin-count considerations should designers note?

It is supplied in a SOT-23 surface-mount outline with three pins for straightforward PCB placement.

How does the transistor’s package size influence layout density?

The package measures 6.7 x 3.7 x 1.8 mm, allowing Compact placement while maintaining thermal constraints.