N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP135H6327XTSA1

RS Stock No.:: 354-5708
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP135H6327XTSA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP135H6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each

THB45.76

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB48.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

26 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย
1 - 249	THB45.76
250 - 499	THB44.61
500 +	THB43.92

RS Stock No.:: 354-5708
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP135H6327XTSA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	120 mA
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	SOT-223
Series	SIPMOS®
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	60 Ω
Channel Mode	Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Power Dissipation	1.8 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Transistor Material	Si
Width	3.5mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	3.7 nC @ 5 V
Length	6.5mm
Number of Elements per Chip	1
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1.6mm

N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP135H6327XTSA1

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง