Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 911-4805
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP135H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 2000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,234.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB20,575.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22,015.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
1000 - 1000	THB20.575	THB20,575.00	-
2000 - 3000	THB19.958	THB19,958.00	THB1,234.00
4000 +	THB19.359	THB19,359.00	THB4,864.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 911-4805
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP135H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	120mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	SOT-223
	Series	SIPMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	45Ω
	Channel Mode	Depletion
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.7nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.6mm
	Width	3.5mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.5mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 120mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type SOT-223
	Series SIPMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 45Ω
	Channel Mode Depletion
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.7nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.6mm
	Width 3.5mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.5mm
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: MY

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 120 mA Maximum Continuous Drain Current, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP135H6327XTSA1

This MOSFET is intended for efficient switching applications, known for its high voltage handling capabilities and low power consumption profile. As a single N-channel depletion mode MOSFET, it is well-suited for various electronic applications that require compact surface mount solutions. With a maximum drain-source voltage of 600V, it is a suitable choice for automotive and power management sectors prioritising efficiency and reliability.

Features & Benefits

• Utilises SIPMOS® technology for enhanced efficiency

• Supports high voltage capacities up to 600V for operational reliability

• Low power consumption rated at 120mA improves energy efficiency

• Designed for surface mount applications, providing space-saving benefits

• ESD protection rated for 1A to safeguard sensitive circuits

• Automotive qualified under AEC-Q101, conforming to industry standards

Applications

• Suitable for power management solutions in electronic devices

• Utilised in low voltage with high voltage capabilities

• Integrated in packaging for efficient thermal management

• Used in control circuits that require robust components

What are the implications of the thermal resistance values for performance?

The thermal resistance indicates the device's heat dissipation effectiveness, ensuring it operates within safe limits during continuous use. Lower thermal resistance values can enhance performance by improving heat management, particularly in high-current applications.

Can this MOSFET handle high-frequency switching applications?

Yes, it features low gate charge characteristics, enabling efficient operation in high-frequency environments, making it suitable for a variety of modern electronic applications.

What should be considered regarding installation and compatibility?

It is important to confirm that the mounting type aligns with the circuit board design to optimise performance and avoid potential thermal management or connectivity issues.

How does the maximum power dissipation impact its application?

With a maximum power dissipation of 1.8W, it is essential to ensure that usage does not exceed this limit to prevent overheating and potential failure. Appropriate thermal management is crucial in design.

What are the limitations regarding gate-source voltage?

The gate-source voltage can range from -20V to +20V, which must be adhered to in order to maintain effective operation without damaging the device or compromising performance.