Infineon Isolated F4 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 1200 V, 2-Pin AG-EASY2B F445MR12W1M1B76BPSA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB4,858.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,199.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB4,858.88
5 - 9THB4,761.97
10 - 14THB4,666.55
15 - 19THB4,573.37
20 +THB4,481.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
234-8968
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
F445MR12W1M1B76BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

F4

Package Type

AG-EASY2B

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.062μC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Forward Voltage Vf

5.65V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

60749 and 60068, IEC 60747

Height

16.4mm

Width

33.8 mm

Length

62.8mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has a 4 N-Channel (Half Bridge) FET Type works with 1200V Drain to Source Voltage and 75A continuous drain current.

Chassis mount

-40°C to 150°C operating temperature

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง