Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1, Type N-Channel IGBT, 35 A 1200 V, 31-Pin AG-EASY2B, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,736.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,858.11

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB1,736.55
10 - 99THB1,693.13
100 - 249THB1,650.80
250 - 499THB1,609.53
500 +THB1,569.29

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-4800
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FP35R12W2T7B11BOMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

35A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Package Type

AG-EASY2B

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

31

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

56.7mm

Series

FP35R12W2T7-B11

Width

48 mm

Height

16.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 35 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.

Low VCEsat

TRENCHSTOP™ IGBT7

Overload operation up to 175°C

2.5 kV AC 1min insulation

Al2O3 substrate with low thermal resistance

High power density

Compact design

PressFIT contact technology

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง