Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 31-Pin AG-EASY2B, Through Hole
- RS Stock No.:
- 222-4802
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,541.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,649.66
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,541.74 |
| 10 - 99 | THB1,503.20 |
| 100 - 249 | THB1,465.62 |
| 250 - 499 | THB1,428.98 |
| 500 + | THB1,393.26 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4802
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Package Type | AG-EASY2B | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 31 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 16.4mm | |
| Width | 48 mm | |
| Length | 56.7mm | |
| Series | FP50R12W2T7_B11 | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Package Type AG-EASY2B | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 31 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 16.4mm | ||
Width 48 mm | ||
Length 56.7mm | ||
Series FP50R12W2T7_B11 | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 50 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Low VCEsat
TRENCHSTOP™ IGBT7
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Compact design
PressFIT contact technology
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon 35 A 1200 V Through Hole
- Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1 35 A 1200 V Through Hole
- Infineon FP75R12N2T7B11BPSA1 75 A 1200 V Chassis
- Infineon FP100R12N2T7BPSA1 100 A 1200 V Chassis
- Infineon 75 A 1200 V Chassis
- Infineon 100 A 1200 V Chassis
- Infineon FP75R12N2T7BPSA2 75 A 1200 V Panel
