Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-EASY2B
- RS Stock No.:
- 222-4802
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,896.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,029.57
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB1,896.79 |
| 10 - 99 | THB1,849.37 |
| 100 - 249 | THB1,803.14 |
| 250 - 499 | THB1,758.06 |
| 500 + | THB1,714.11 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4802
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Package Type | AG-EASY2B | |
| Channel Type | N | |
| Transistor Configuration | Common Emitter | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
Package Type AG-EASY2B | ||
Channel Type N | ||
Transistor Configuration Common Emitter | ||
The Infineon EasyPIM™ 2B 1200 V, 50 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Low VCEsat
TRENCHSTOP™ IGBT7
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Compact design
PressFIT contact technology
TRENCHSTOP™ IGBT7
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
High power density
Compact design
PressFIT contact technology
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FP50R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-EASY2B
- Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 35 A 1200 V AG-EASY2B
- Infineon FS75R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 65 A 1200 V AG-EASY2B-711
- Infineon FP35R12W2T4BOMA1 3 Phase Bridge IGBT Module Panel Mount
- Infineon IAUZ Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 8-Pin AG-EASY2B
- Infineon FS50R12KT4B15BPSA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-ECONO2B-411
- Infineon FP50R12KT4BPSA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-ECONO2B-411
- Infineon FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT, 50 A 1200 V AG-ECONO2B-411
