STMicroelectronics SCT019 N channel-Channel Power MOSFET, 90 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT019W120G3-4AG

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB678.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB725.74

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB678.26
5 +THB657.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
719-469
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT019W120G3-4AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCT019

Package Type

Hip-247-4

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

19.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

120nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10 to 22 V

Maximum Power Dissipation Pd

486W

Forward Voltage Vf

2.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

200°C

Width

15.9 mm

Length

21.1mm

Height

5.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง