STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET, 40 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT040W120G3-4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
214-957
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT040W120G3-4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

Hip-247-4

Series

SCT

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Power Dissipation Pd

312W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-10V, 22V

Forward Voltage Vf

1.2kV

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

RoHS, ECOPACK2

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง