STMicroelectronics SCTW Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- RS Stock No.:
- 230-0093
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA60N120G2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB34,433.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB36,843.87
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | THB1,147.784 | THB34,433.52 |
| 90 - 120 | THB1,118.341 | THB33,550.23 |
| 150 + | THB1,104.19 | THB33,125.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 230-0093
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA60N120G2-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCTW | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 388W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Forward Voltage Vf | 3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.9mm | |
| Width | 5.1 mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCTW | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 388W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Forward Voltage Vf 3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.9mm | ||
Width 5.1 mm | ||
Height 21.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics SCTWA60N is silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTW Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA60N120G2-4
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA40N12G24AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT040W120G3-4
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT019 N channel-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT019W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT 1 Type N-Channel MOSFET Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT070W120G3-4