STMicroelectronics Sct N channel-Channel Power MOSFET, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB715.58

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB765.67

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 4THB715.58
5 +THB694.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
719-470
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT025W120G3-4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Hip-247-4

Series

Sct

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

2.7V

Maximum Power Dissipation Pd

388W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

25.27mm

Length

15.9mm

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Very high operating junction temperature capability (TJ equal to 200 °C)

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง