STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
- RS Stock No.:
- 233-0475
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA70N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,689.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,807.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 358 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB1,689.50 |
| 5 - 9 | THB1,660.79 |
| 10 - 14 | THB1,632.56 |
| 15 - 19 | THB1,604.81 |
| 20 + | THB1,577.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-0475
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA70N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 91A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Forward Voltage Vf | 2.7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 547W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5mm | |
| Width | 15.6mm | |
| Length | 34.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 91A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCTWA70N120G2V-4 | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Forward Voltage Vf 2.7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 547W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5mm | ||
Width 15.6mm | ||
Length 34.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics Sct N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4
- STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET N-Channel 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT019 N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT019W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT040W120G3-4
- STMicroelectronics SCTW70N N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW70N N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW70N120G2V