STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Channel MOSFET, 91 A, 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
- RS Stock No.:
- 233-0475
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA70N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,689.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,807.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 352 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB1,689.50 |
| 5 - 9 | THB1,660.79 |
| 10 - 14 | THB1,632.56 |
| 15 - 19 | THB1,604.81 |
| 20 + | THB1,577.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 233-0475
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCTWA70N120G2V-4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 91A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Package Type | Hip-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Forward Voltage Vf | 2.7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 547W | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 34.8mm | |
| Width | 15.6mm | |
| Height | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 91A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series SCTWA70N120G2V-4 | ||
Package Type Hip-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Forward Voltage Vf 2.7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 547W | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 34.8mm | ||
Width 15.6mm | ||
Height 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics SCTW N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA60N120G2-4
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA40N12G24AG
- STMicroelectronics SCTW70N N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW70N120G2V
- Infineon IMZC120 N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R012M2HXKSA1
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Hip-247 SCTWA90N65G2V-4