STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Type N-Channel MOSFET, 33 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,155.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,236.26

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 30 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB1,155.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
214-973
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCTWA40N12G24AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCTWA40N12G24AG

Package Type

Hip-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Power Dissipation Pd

290W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Forward Voltage Vf

3.4V

Maximum Operating Temperature

200°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง