Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 150 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM60061EL-GE3
- RS Stock No.:
- 228-2983
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM60061EL-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB560.99
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB600.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 486 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB280.495 | THB560.99 |
| 10 - 48 | THB273.48 | THB546.96 |
| 50 - 98 | THB266.65 | THB533.30 |
| 100 - 248 | THB259.975 | THB519.95 |
| 250 + | THB253.47 | THB506.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2983
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM60061EL-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 145nC | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 145nC | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay P-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP60061EL-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2387DS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2337DS-T1-GE3