Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 3.8 A, 200 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB53,109.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB56,826.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 6,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB17.703THB53,109.00
6000 - 9000THB17.172THB51,516.00
12000 +THB16.657THB49,971.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
180-7307
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI7119DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

3.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.6nC

Minimum Operating Temperature

50°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 200V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 1050mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 3.8A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. It has applications in the active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Low thermal resistance powerpak package with small size and low 1.07 mm profile

• Maximum dissipation power 52W

• Operating temperature ranges between -50°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง