Vishay Dual TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin TSOP
- RS Stock No.:
- 180-7304
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5515CDC-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB39,951.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB42,747.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB13.317 | THB39,951.00 |
| 6000 - 9000 | THB12.917 | THB38,751.00 |
| 12000 + | THB12.53 | THB37,590.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7304
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI5515CDC-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | TSOP | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.1W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.05mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.65 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type TSOP | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.1W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.05mm | ||
Height 1mm | ||
Width 1.65 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V and drain-source resistance of 36mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power rating of 3.1W. The MOSFET has a continuous drain current of 4A. It has application in load switches for portable devices. MOSFET has been optimized, for lower switching and conduction losses.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin TSOP SI5515CDC-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N 3.9 A 6-Pin TSOP
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N 3.9 A 6-Pin TSOP SI3585CDV-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S