Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 47 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247AD

RS Stock No.:: 228-2976
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQW44N65EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 47 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247AD

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB6,988.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,477.59

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 90	THB232.947	THB6,988.41
120 - 240	THB227.123	THB6,813.69
270 +	THB221.445	THB6,643.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2976
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQW44N65EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Series	E
	Package Type	TO-247AD
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	73mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	177nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	500W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 47A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Series E
	Package Type TO-247AD
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 73mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 177nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 500W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQW44N65EF-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 700V Drain Source Voltage, 47A Maximum Continuous Drain Current - SQW44N65EF-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for demanding switching and power-conversion roles in industrial and automotive contexts. It is supplied in a through-hole TO-247AD package suited to robust mounting and thermal management. The device operates across a wide temperature range and is compatible with automotive qualification standards for use in vehicle electronics.

Features and Benefits:

• 700V drain rating enables high-voltage system operation • 47A continuous drain current supports heavy load switching • 73mΩ Rds(on) reduces conduction losses at rated current • 500W power dissipation allows sustained thermal performance • 177nC typical gate charge facilitates gate-drive planning • 30V gate tolerance simplifies driver selection for common logic levels

Applications

• Suitable for traction inverter and motor-drive stages in vehicles • Ideal for high-voltage power supplies and industrial converters • Used for fast switching in welders and induction heating systems • Can be used for DC-DC conversion in heavy equipment electronics

What temperature extremes can it tolerate during operation?

It is specified for operation from -55°C up to a maximum of 175°C, supporting designs exposed to wide thermal variation.

Which mounting style and pin count should be prepared on the PCB or heatsink?

The device is through-hole mounted with three pins in a TO-247AD format for direct fastening to a heatsink or chassis.

How does the device meet automotive project requirements?

It conforms to AEC‑Q101 automotive standard and is RoHS compliant, providing a component suited to automotive-grade design processes.

What gate-drive considerations are indicated by its characteristics?

The typical gate charge of 177nC and a maximum Vgs of 30V require a gate driver capable of delivering sufficient charge while limiting gate voltage within the specified range.