Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 4.4 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SiHD5N80AE-GE3

RS Stock No.:: 228-2851
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHD5N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 4.4 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SiHD5N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB56,088.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB60,015.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 +	THB18.696	THB56,088.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2851
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHD5N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Package Type	TO-252
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.35Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Package Type TO-252
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.35Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SiHD5N80AE-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 850V Maximum Drain Source Voltage, 4.4A Maximum Continuous Drain Current - SiHD5N80AE-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and amplification in surface-mounted power electronics. It operates across a wide temperature range and is intended for applications requiring robust blocking capability and moderate continuous current handling while occupying a TO-252 surface-mount footprint.

Features and Benefits:

• 850V drain-source rating enabling high-voltage switching
• 1.35Ω Rds(on) supports controlled conduction losses
• 4.4A continuous drain current for steady load operation
• 62.5W maximum dissipation for thermal performance headroom
• 11nC typical gate charge for faster switching transitions
• 30V gate-source limit allowing standard gate-drive ranges

Applications

• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Ideal for industrial motor-drive front-ends
• Used for switch-mode power regulation stages
• Can be used for telecom and utility line-interface circuits
• Appropriate for compact surface-mount power modules

What operating temperature range can I expect for reliable operation?

The device functions from -55°C up to 150°C, permitting use in demanding thermal environments.

How should I consider gate-drive design with this component?

Design for a maximum Vgs of 30V and account for the typical 11nC gate charge when sizing drivers to meet switching speed and drive-current requirements.

What packaging and mounting considerations apply for assembly?

It is supplied in a TO-252 package intended for surface mounting, so land pattern and thermal vias should be planned to manage power dissipation.

Is this suitable for automotive-certified designs?

It is not specified to meet automotive standards, so it should be evaluated against any vehicle-specific requirements before use.