Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 9 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB3,693.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,951.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 650 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB73.864THB3,693.20
100 - 450THB72.017THB3,600.85
500 - 950THB70.217THB3,510.85
1000 +THB68.461THB3,423.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
228-2836
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHA24N80AE-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay Series E Power MOSFET, 850V Maximum Drain Source Voltage, 9A Maximum Continuous Drain Current - SIHA24N80AE-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-type enhancement device designed for switching and power-conversion roles in industrial electronic systems. It is supplied in a TO-220 through-hole package for straightforward mounting and thermal interfacing, and is suitable for equipment where robust drain-source voltage handling and moderate current capability are required.

Features and Benefits:


• 850V maximum drain-source voltage for high-voltage switching applications
• 9 A continuous drain current enabling moderate load handling
• 184 mΩ Rds(on) yielding predictable conduction losses
• 59 nC typical gate charge allowing controlled switching energy
• 35W power dissipation for significant thermal headroom
• 150 °C maximum operating temperature supporting elevated-temperature environments

Applications


• Suitable for power supplies requiring high-voltage switching components
• Ideal for industrial motor-drive gate-stage circuits
• Used for high-voltage snubber and clamp circuits in automation systems
• Can be used for line-side switching in lighting and control equipment
• Suitable for prototypes and production boards needing through-hole mounting

What gate voltage limits should designers respect for safe operation?


The gate-source voltage must not exceed 30V to avoid overstressing the gate dielectric.

How does thermal management affect continuous current capability?


The 35W dissipation rating assumes effective heat-sinking

without adequate thermal paths, junction temperature will rise and continuous current capability will be reduced.

Is this device suitable for automotive applications requiring specific automotive standards?


It is not designated to automotive-specific standards and should be evaluated against vehicle-level qualification requirements before use.

What are the expected switching trade-offs given the gate charge and Rds(on)?


The moderate gate charge combined with 184 mΩ on-resistance indicates a balance between switching losses and conduction losses

gate-drive strength and switching frequency will determine overall efficiency.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง