Vishay E Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 200-6867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHD6N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB724.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB775.525

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB28.992	THB724.80
750 - 1475	THB28.267	THB706.68
1500 +	THB27.832	THB695.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Package Type	TO-252
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	950mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Package Type TO-252
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง