Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET Arrays, 21 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7831TRPBF

RS Stock No.:: 215-2586
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7831TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET Arrays, 21 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7831TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB623.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB667.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

520 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 980	THB31.189	THB623.78
1000 - 1980	THB30.409	THB608.18
2000 +	THB29.649	THB592.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2586
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7831TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET Arrays
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±12 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	40nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Height	1.5mm
	Width	4 mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET Arrays
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±12 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Height 1.5mm
	Width 4 mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7831TRPBF

The Infineon HEXFET Power MOSFET series has 30V maximum drain source voltage in a SO-8 package. It has application high frequency point-of-load synchronous buck converter for applications in networking & computing systems.

RoHS Compliant

Industry-leading quality

Low RDS(ON) at 4.5V VGS

Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Ultra-Low Gate Impedance

Infineon Dual HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET Arrays, 21 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7831TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง