Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 5.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 220-7478
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7490TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 5.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB58,104.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB62,172.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 8,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB14.526	THB58,104.00
8000 - 12000	THB14.09	THB56,360.00
16000 +	THB13.667	THB54,668.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7478
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7490TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SO-8
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	39mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.75mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4 mm
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SO-8
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 39mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.75mm
	Standards/Approvals No
	Width 4 mm
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7490TRPBF

The Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100KHz

Industry standard surface-mount power package

Capable of being wave-soldered

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 5.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง