Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 25 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN

RS Stock No.:: 220-7485
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH7932TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 25 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB122,036.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB130,580.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 8,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB30.509	THB122,036.00
8000 - 12000	THB29.594	THB118,376.00
16000 +	THB28.706	THB114,824.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7485
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFH7932TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	3.4W
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	6.1mm
	Width	5.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 3.4W
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 6.1mm
	Width 5.1 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFH7932TRPBF

The Infineon OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.

Very low RDS(ON) at 4.5V VGS

Low Gate Charge

Fully Characterized Avalanche Voltage and

Current

100% Tested for RG

Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow)

RoHS compliant (Halogen Free)

Low Thermal Resistance

Large Source Lead for more reliable Soldering

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 25 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง