Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7473TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB105,068.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB112,424.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4000 +THB26.267THB105,068.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
262-6737
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7473TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.75mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has benefits such as low gate drive current due to improved gate charge characteristic, improved avalanche ruggedness and dynamic dv/dt and fully characterized avalanche voltage and current.

Ultra low on-resistance

High speed switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง