Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode, 5.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7490TRPBF

RS Stock No.:: 220-7479
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-39-417
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7490TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode, 5.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7490TRPBF

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (15 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 15)*

THB467.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB500.46

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

11,835 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 990	THB31.181	THB467.72
1005 - 1980	THB30.401	THB456.02
1995 +	THB29.933	THB449.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7479
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-39-417
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF7490TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	39mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.75mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Width	4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 39mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.75mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Width 4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7490TRPBF

The Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100KHz

Industry standard surface-mount power package

Capable of being wave-soldered

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode, 5.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7490TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง