Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7473TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB460.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB492.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB46.022THB460.22
50 - 90THB40.866THB408.66
100 - 490THB36.819THB368.19
500 - 1990THB33.437THB334.37
2000 +THB32.772THB327.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
262-6738
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7473TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.75mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has benefits such as low gate drive current due to improved gate charge characteristic, improved avalanche ruggedness and dynamic dv/dt and fully characterized avalanche voltage and current.

Ultra low on-resistance

High speed switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง