Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 6.9 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7473TRPBF

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (10 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 10)*

THB460.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB492.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB46.022THB460.22
50 - 90THB40.866THB408.66
100 - 490THB36.819THB368.19
500 - 1990THB33.437THB334.37
2000 +THB32.772THB327.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
262-6738
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7473TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

61nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Width

4mm

Length

5mm

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has benefits such as low gate drive current due to improved gate charge characteristic, improved avalanche ruggedness and dynamic dv/dt and fully characterized avalanche voltage and current.

Ultra low on-resistance

High speed switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง