Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 62 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3007STRLPBF

RS Stock No.:: 220-7470
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF3007STRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 62 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3007STRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB461.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB494.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 585 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 195	THB92.38	THB461.90
200 - 395	THB90.072	THB450.36
400 +	THB88.684	THB443.42

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7470
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF3007STRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	120W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	89nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Width	9.65 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 62A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 120W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Width 9.65 mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF3007STRLPBF

The Infineon Infineon's OptiMOS N-channel power MOSFETs are developed to increase efficiency, power density and cost-effectiveness. Designed for high performance applications and optimized for high switching frequency, OptiMOS products convince with the industry's best figure of merit. The OptiMOS power MOSFET portfolio, now complemented by Strong IRFET, creates a truly powerful combination. Benefit from a perfect match of robust and excellent price/performance of Strong IRFET MOSFETs and best-in-class technology of OptiMOS MOSFETs. Both product families answer to the highest quality standards and performance demands. The joint portfolio, covering voltages from 12V up to 300V MOSFETs, can address a broad range of needs from low to high switching frequencies such as SMPS, battery powered applications, motor control and drives, inverters, and computing.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface-mount power package

High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)

Capable of being wave-soldered

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 62 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3007STRLPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง