Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode, 162 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF1404STRL

RS Stock No.:: 220-7340
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AUIRF1404STRL
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode, 162 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF1404STRL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB4,462.40

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB102,626.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB109,810.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
800 - 800	THB128.283	THB102,626.40	-
1600 - 2400	THB125.494	THB100,395.20	THB4,462.40
3200 +	THB122.705	THB98,164.00	THB17,849.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7340
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AUIRF1404STRL
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	162A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	160nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	200W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	9.65mm
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 162A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 200W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 9.65mm
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AUIRF1404STRL

The Infineon AUIRF1404STRL specifically designed for Automotive applications, this Stripe. it has planar design of HEXFET power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.

Advanced planar technology

Dynamic dV/dT rating

175°C operating temperature

Fast switching

Fully Avalanche Rated

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Lead free, RoHS compliant

Automotive qualified

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET & Diode, 162 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF1404STRL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง