Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 162 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF1404STRL
- RS Stock No.:
- 220-7341
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF1404STRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB349.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB374.22
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 698 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 198 | THB174.87 | THB349.74 |
| 200 - 398 | THB171.375 | THB342.75 |
| 400 + | THB167.95 | THB335.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7341
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRF1404STRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 162A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 162A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon AUIRF1404STRL specifically designed for Automotive applications, this Stripe. it has planar design of HEXFET power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.
Advanced planar technology
Dynamic dV/dT rating
175°C operating temperature
Fast switching
Fully Avalanche Rated
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Lead free, RoHS compliant
Automotive qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF2804STRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-263 IRF1404STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3007STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252