Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 270 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB77,137.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB82,537.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 4,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
800 - 800THB96.422THB77,137.60
1600 - 2400THB94.326THB75,460.80
3200 +THB92.23THB73,784.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
220-7342
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
AUIRF2804STRL
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

270A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide range of 20V-40V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages to meet a range of needs and achieving RDS(on) down to 0.6mΩ.The new OptiMOS 6 and Optimos5 40V benchmark MOSFET technology enables low conduction losses (best in Class RDSon performance), low switching losses (improved switching behaviour), improved diode recovery and EMC behaviour. This MOSFET technology is used in the most advanced and innovative packages in order to reach the best product performances and quality. For ultimate design flexibility, automotive-qualified MOSFETs are available in a variety of packages to meet a range of needs. Infineon offer customers a steady stream of improvements in current capability, switching behaviour, reliability, package size and overall quality. The newly developed integrated half-bridge is an innovative and cost efficient package solution for motor drive and body applications.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance

175°C operating temperature

Fast switching

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง