Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 270 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF2804STRL

RS Stock No.:: 220-7343
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AUIRF2804STRL
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 270 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF2804STRL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB312.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB334.472

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

5,048 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 198	THB156.295	THB312.59
200 - 398	THB152.39	THB304.78
400 +	THB150.045	THB300.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7343
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AUIRF2804STRL
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	270A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	160nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Width	9.65 mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 270A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Width 9.65 mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AUIRF2804STRL

The Infineon offers a wide range of 20V-40V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages to meet a range of needs and achieving RDS(on) down to 0.6mΩ.The new OptiMOS 6 and Optimos5 40V benchmark MOSFET technology enables low conduction losses (best in Class RDSon performance), low switching losses (improved switching behaviour), improved diode recovery and EMC behaviour. This MOSFET technology is used in the most advanced and innovative packages in order to reach the best product performances and quality. For ultimate design flexibility, automotive-qualified MOSFETs are available in a variety of packages to meet a range of needs. Infineon offer customers a steady stream of improvements in current capability, switching behaviour, reliability, package size and overall quality. The newly developed integrated half-bridge is an innovative and cost efficient package solution for motor drive and body applications.

Advanced process technology

Ultra-low on-resistance

175°C operating temperature

Fast switching

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 270 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF2804STRL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง