Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 62 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 AUIRFR48ZTRL
- RS Stock No.:
- 220-7347
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR48ZTRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB514.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB550.825
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB102.958 | THB514.79 |
| 750 - 1495 | THB100.382 | THB501.91 |
| 1500 + | THB98.84 | THB494.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7347
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFR48ZTRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 91W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.39mm | |
| Width | 6.73 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 91W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.39mm | ||
Width 6.73 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon AUIRFR48ZTRL specifically designed for automotive applications, this HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3007STRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR1010ZTRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-252 IRFR48ZTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252