Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 99.6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 220-7460
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW65R110CFDAFKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 99.6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB5,371.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,748.03

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 120 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB179.066	THB5,371.98
60 - 90	THB175.173	THB5,255.19
120 +	THB171.28	THB5,138.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7460
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW65R110CFDAFKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	99.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-247
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	118nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	277.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.21 mm
	Height	21.1mm
	Length	16.13mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 99.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-247
	Series CoolMOS
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 277.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.21 mm
	Height 21.1mm
	Length 16.13mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPW65R110CFDAFKSA1

The Infineon 650V Cool MOS CFDA Super junction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage Cool MOS power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V Cool MOS CFDA series provides also an integrated fast body diode.

First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market

Limited voltage overshoot during hard commutation – self limiting di/dt and dv/dt

Low gate charge value Q g

Low Q rr at repetitive commutation on body diode & low Q oss

Reduced turn on and turn of delay times

Increased safety margin due to higher breakdown voltage

Reduced EMI appearance and easy to design in

Better light load efficiency

Lower switching losses

Higher switching frequency and/or higher duty cycle possible

High quality and reliability

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 99.6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง