Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET & Diode, 99.6 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW65R110CFDAFKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 60 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB5,371.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,748.03

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 120 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
การประหยัด
30 - 30THB179.066THB5,371.98-
60 - 90THB175.173THB5,255.192%
120 +THB171.28THB5,138.404%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
220-7460
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPW65R110CFDAFKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

99.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

277.8W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

118nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

900mV

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.13mm

Width

5.21mm

Standards/Approvals

No

Height

21.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon 650V Cool MOS CFDA Super junction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage Cool MOS power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V Cool MOS CFDA series provides also an integrated fast body diode.

First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market

Limited voltage overshoot during hard commutation – self limiting di/dt and dv/dt

Low gate charge value Q g

Low Q rr at repetitive commutation on body diode & low Q oss

Reduced turn on and turn of delay times

Increased safety margin due to higher breakdown voltage

Reduced EMI appearance and easy to design in

Better light load efficiency

Lower switching losses

Higher switching frequency and/or higher duty cycle possible

High quality and reliability

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง