Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 97 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R090CFD7XKSA1

RS Stock No.:: 220-7454
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW60R090CFD7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 97 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R090CFD7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB293.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB313.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

96 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 6	THB146.72	THB293.44
8 - 14	THB143.06	THB286.12
16 +	THB140.855	THB281.71

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7454
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPW60R090CFD7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	97A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-247
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	90mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.21 mm
	Height	21.1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	16.13mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 97A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-247
	Series CoolMOS
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.21 mm
	Height 21.1mm
	Standards/Approvals No
	Length 16.13mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPW60R090CFD7XKSA1

The Infineon 600V Cool MOS CFD7 is Infineon’s latest high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the Cool MOS 7 series. Cool MOS CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss

Best-in-class RDS(on)/package combinations

Best-in-class hard commutation ruggedness

Highest reliability for resonant topologies

Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off

Enabling increased power density solutions

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 97 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R090CFD7XKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง