Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 6.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R1K0CEAKMA1

RS Stock No.:: 220-7439
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS60R1K0CEAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 6.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R1K0CEAKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB458.18

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB490.26

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 +	THB22.909	THB458.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7439
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS60R1K0CEAKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-251
	Series	CoolMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	61W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	6.22mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.4 mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-251
	Series CoolMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 61W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 6.22mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.4 mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPS60R1K0CEAKMA1

The Infineon Cool MOS CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern super junction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600V, 650V and 700V Cool MOS CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.

Narrow margins between typical and max R DS(on)

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)

Optimized integrated R g

Low conduction losses

Low switching losses

Suitable for hard and soft switching

Easy controllable switching behaviour

Improved efficiency and consequent reduction of power consumption

Less design in effort

Easy to use

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 6.8 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R1K0CEAKMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง