Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 97 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
220-7453
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPW60R090CFD7XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

97A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Series

CoolMOS

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

21.1mm

Length

16.13mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V Cool MOS CFD7 is Infineon’s latest high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the Cool MOS 7 series. Cool MOS CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss

Best-in-class RDS(on)/package combinations

Best-in-class hard commutation ruggedness

Highest reliability for resonant topologies

Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off

Enabling increased power density solutions

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง