Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 97 A, 650 V Enhancement, 5-Pin VSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB251,868.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB269,499.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB83.956THB251,868.00
6000 - 9000THB81.437THB244,311.00
12000 +THB78.994THB236,982.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
220-7430
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPL60R095CFD7AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

97A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

CoolMOS

Package Type

VSON

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

147W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8.1mm

Width

8.1 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V Cool MOS CFD7 is Infineon’s latest high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the Cool MOS 7 series. Cool MOS CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss

Best-in-class RDS(on)/package combinations

Best-in-class hard commutation ruggedness

Highest reliability for resonant topologies

Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off

Enabling increased power density solutions

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง