Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 51 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R170CFD7ATMA1
- RS Stock No.:
- 220-7407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R170CFD7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB426.08
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB455.905
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,310 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB85.216 | THB426.08 |
| 625 - 1245 | THB83.086 | THB415.43 |
| 1250 + | THB81.81 | THB409.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R170CFD7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 170mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 76W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 170mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 76W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V Cool MOS CFD7 is Infineon’s latest high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the Cool MOS 7 series. Cool MOS CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.
Ultra-fast body diode
Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss
Best-in-class RDS(on)/package combinations
Best-in-class hard commutation ruggedness
Highest reliability for resonant topologies
Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
Enabling increased power density solutions
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS60R1K0CEAKMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R090CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW65R110CFDAFKSA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263