Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251

RS Stock No.:: 214-9109
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS80R900P7AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB2,469.075

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,641.875

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,425 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
75 - 75	THB32.921	THB2,469.08
150 - 225	THB31.933	THB2,394.98
300 +	THB30.975	THB2,323.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9109
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPS80R900P7AKMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	CoolMOS P7
	Package Type	TO-251
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	900mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	45W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.7mm
	Height	6.22mm
	Width	2.35 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series CoolMOS P7
	Package Type TO-251
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 45W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.7mm
	Height 6.22mm
	Width 2.35 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPS80R900P7AKMA1

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are Easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง