Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R900P7AKMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 150 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB162.90

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB2,715.98

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,906.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,425 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
การประหยัด
75 - 75THB36.213THB2,715.98-
150 - 225THB35.127THB2,634.53THB162.90
300 +THB34.073THB2,555.48THB642.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
214-9109
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPS80R900P7AKMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-251

Series

CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

900mV

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.22mm

Length

6.7mm

Width

2.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are Easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.

Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง