Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- RS Stock No.:
- 214-9109
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPS80R900P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*
THB2,469.075
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,641.875
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,425 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | THB32.921 | THB2,469.08 |
| 150 - 225 | THB31.933 | THB2,394.98 |
| 300 + | THB30.975 | THB2,323.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9109
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPS80R900P7AKMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | CoolMOS P7 | |
| Package Type | TO-251 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 900mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.35 mm | |
| Length | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.22mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series CoolMOS P7 | ||
Package Type TO-251 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 900mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.35 mm | ||
Length 6.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.22mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are Easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs.
Fully optimized portfolio
Integrated Zener Diode ESD protection
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R900P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPS80R750P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPU80R750P7AKMA1
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPU80R900P7AKMA1