Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 97 A, 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R095CFD7AUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB306.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB328.008

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 748THB153.275THB306.55
750 - 1498THB149.45THB298.90
1500 +THB147.155THB294.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
220-7431
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPL60R095CFD7AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

97A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

VSON

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

147W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

8.1 mm

Length

8.1mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V Cool MOS CFD7 is Infineon’s latest high voltage super junction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the Cool MOS 7 series. Cool MOS CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

Ultra-fast body diode

Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)

Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness

Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss

Best-in-class RDS(on)/package combinations

Best-in-class hard commutation ruggedness

Highest reliability for resonant topologies

Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off

Enabling increased power density solutions

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง