Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 100 A, 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R105P7AUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (3000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 3000)*

THB249,432.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB266,892.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB83.144THB249,432.00
6000 - 9000THB80.65THB241,950.00
12000 +THB78.23THB234,690.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
220-7432
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPL60R105P7AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

VSON

Series

CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45nC

Maximum Power Dissipation Pd

137W

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8.1mm

Width

8.1mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

Infineon CoolMOS P7 Series MOSFET & Diode, 650V Maximum Drain Source Voltage, 100A Maximum Continuous Drain Current - IPL60R105P7AUMA1


This MOSFET & diode is a high-voltage power switching device designed for surface-mount applications in power conversion and switching contexts. It combines an N-channel enhancement-mode transistor with an integrated diode to handle elevated drain-source voltages and substantial continuous currents while operating across a wide temperature range.

Features and Benefits:


• 650V drain-source rating enables high-voltage switching applications
• 100A continuous drain current supports heavy load handling
• 105mΩ maximum Rds(on) reduces conduction losses in power stages
• 137W maximum power dissipation permits elevated thermal loading
• 45nC typical gate charge at Vgs 20V balances drive requirements
• VSON 5-pin package supports Compact surface-mount integration

Applications


• Suitable for SMPS primary-side switching in high-voltage converters
• Ideal for offline power supplies requiring a high-voltage MOSFET diode
• Used for synchronous rectification in high-power converter designs
• Can be used for industrial motor-drive front-end stages
• Suitable for DC-DC converters handling substantial continuous current

What gate-drive voltage range is permitted for safe operation?


The device accepts gate-source voltages up to 20V while operating as an enhancement-mode N-channel device.

What thermal extremes can it withstand during operation?


It is specified for continuous operation from −40°C up to 150°C.

How does the package influence mounting and layout?


The VSON 5-pin surface-mount package enables low-profile mounting and straightforward PCB soldering for Compact assemblies.

What is the typical switching charge designers must budget for in gate drivers?


Expect a typical total gate charge around 45nC at the rated gate voltage, which informs driver current and switching-loss calculations.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง