Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 151 A, 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R065P7AUMA1

RS Stock No.:: 220-7429
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R065P7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 151 A, 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R065P7AUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB4,935.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB526.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB563.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
2 - 748	THB263.25	THB526.50	-
750 - 1498	THB256.67	THB513.34	THB4,935.00
1500 +	THB252.72	THB505.44	THB15,795.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7429
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPL60R065P7AUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	151A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	VSON
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	201W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	67nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	8.1mm
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	8.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 151A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type VSON
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 201W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 67nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 8.1mm
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 8.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPL60R065P7AUMA1

The Infineon 600V Cool MOS P7 super junction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V Cool MOS P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the Cool MOS 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM RDS(on)xEoss and RDS(on)xQG

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor RG

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Excellent FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss enable higher efficiency

Ease-of-use in manufacturing environments by stopping ESD failures occurring

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

MOSFET is suitable for both hard and resonant switching topologies such as PFC and LLC

Excellent ruggedness during hard commutation of the body diode seen in LLC topology

Suitable for a wide variety of end applications and output powers

Parts available suitable for consumer and industrial applications

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET & Diode, 151 A, 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL60R065P7AUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง