Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET & Diode, 151 A, 650 V Enhancement, 5-Pin VSON

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB598,638.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB640,542.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB199.546THB598,638.00
6000 - 9000THB193.559THB580,677.00
12000 +THB187.752THB563,256.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
220-7428
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPL60R065P7AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

151A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

VSON

Series

CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

67nC

Maximum Power Dissipation Pd

201W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8.1mm

Height

1.1mm

Width

8.1 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V Cool MOS P7 super junction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V Cool MOS P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the Cool MOS 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM RDS(on)xEoss and RDS(on)xQG

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor RG

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Excellent FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss enable higher efficiency

Ease-of-use in manufacturing environments by stopping ESD failures occurring

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

MOSFET is suitable for both hard and resonant switching topologies such as PFC and LLC

Excellent ruggedness during hard commutation of the body diode seen in LLC topology

Suitable for a wide variety of end applications and output powers

Parts available suitable for consumer and industrial applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง