Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S407ATMA2

RS Stock No.:: 220-7414
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD90N06S407ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S407ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB343.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB367.36

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,450 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 620	THB34.333	THB343.33
630 - 1240	THB33.475	THB334.75
1250 +	THB32.961	THB329.61

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7414
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD90N06S407ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	43nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	79W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.41mm
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 79W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.41mm
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD90N06S407ATMA2

The Infineon offers a wide range of 55V-60V N-channel automotive qualified power MOSFETs using the new OptiMOS technology in a variety of packages and ranging RDS(on) from 1.5mΩ up to 160mΩ.The new 60V automotive MOSFET family with OptiMOS5 technology delivers more power and leading performance. OptiMOS 5 provides reduced conduction losses optimized for drives and power conversion applications. The smaller leadless packages SSO8 (5x6mm2) and S3O8(3x3mm2) enable space savings by more than 50% compared to the area of a DPAK.

N-channel - Enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

100% Avalanche tested

Ultra low RDSon

world's lowest RDS at 60V (on)

highest current capability

lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

robust packages with superior quality and reliability

Optimized total gate charge enables smaller driver output stages

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90N06S407ATMA2

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง