Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPC90N04S53R6ATMA1
- RS Stock No.:
- 220-7402
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPC90N04S53R6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1260 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB800.10
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB380.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB407.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 3,645 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 15 - 1245 | THB25.36 | THB380.40 | - |
| 1260 - 2490 | THB24.725 | THB370.88 | THB800.10 |
| 2505 + | THB24.345 | THB365.18 | THB2,542.58 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7402
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPC90N04S53R6ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 63W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.25mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 5.58mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 63W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.25mm | ||
Height 1.1mm | ||
Width 5.58mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPC90N04S53R6ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC014N04LSTATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG IAUS240N08S5N019ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin PG-HSOF IAUT200N08S5N023ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSATMA1
