Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P4L04ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB211.07

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB225.845

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 4,805 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 620THB42.214THB211.07
625 - 1245THB41.158THB205.79
1250 +THB40.526THB202.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
220-7416
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD90P03P4L04ATMA2
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TO-252

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Maximum Power Dissipation Pd

137W

Forward Voltage Vf

-1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide portfolio of P-channel automotive power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO220, TO262 and SO8 package with the technology of OptiMOS -P2 and Gen5.

P-channel - Logic Level - Enhancement mode

No charge pump required for high side drive.

Simple interface drive circuit

World's lowest RDSon at 40V

Highest current capability

Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง