Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode, 137 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSTATMA1
- RS Stock No.:
- 220-7351
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC028N06NSTATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 10000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB214,425.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB229,435.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB42.885 | THB214,425.00 | - |
| 10000 - 15000 | THB41.598 | THB207,990.00 | 3% |
| 20000 + | THB40.35 | THB201,750.00 | 5% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 220-7351
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC028N06NSTATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 137A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.2mm | |
| Length | 5.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 137A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.2mm | ||
Length 5.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06NSTATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC13DN30NSFDATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L35AATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC011N03LSIATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC097N06NSATMA1
