Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 219-5994
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD95R2K0P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB43,060.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB46,075.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB17.224	THB43,060.00
5000 - 5000	THB16.707	THB41,767.50
7500 +	THB16.206	THB40,515.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 219-5994
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD95R2K0P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	950V
	Package Type	TO-252
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	37W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2.41mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22 mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 950V
	Package Type TO-252
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 37W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2.41mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.22 mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD95R2K0P7ATMA1

The Infineon designed to meet the growing consumer needs in the high voltage MOSFETs arena, the latest 950V CoolMOS™ P7 technology focuses on the low-power SMPS market. Offering 50V more blocking voltage than its predecessor 900V CoolMOS™ C3, the 950V CoolMOS™ P7 series delivers outstanding performance in terms of efficiency, thermal behaviour and ease-of-use. As the all other P7 family members, the 950V CoolMOS™ P7 series comes with an integrated Zener diode ESD protection. The integrated diode considerably improves ESD robustness, thus reducing ESD-related yield loss and reaching exceptional ease-of-use levels. CoolMOS™ P7 is developed with best-in-class VGS(th) of 3V and a narrow tolerance of only ± 0.5V, which makes it easy to drive and design-in.

Best-in-class VGS(th) of 3V and smallest VGS(th) variation of ±0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Best-in-class quality and reliability

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 4 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง