Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 1.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R3K3P7ATMA1

RS Stock No.:: 214-9050
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R3K3P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 1.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R3K3P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 5000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,635.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB27,265.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB29,172.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
2500 - 2500	THB10.906	THB27,265.00	-
5000 - 7500	THB10.579	THB26,447.50	THB1,635.00
10000 +	THB10.261	THB25,652.50	THB6,450.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-9050
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD80R3K3P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	CoolMOS P7
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.8nC
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	18W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22mm
	Length	6.73mm
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series CoolMOS P7
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 18W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.22mm
	Length 6.73mm
	Height 2.41mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD80R3K3P7ATMA1

The Infineon latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon’s over 18 years pioneering super junction technology innovation. These are easy to drive and to parallel, enabling higher power density designs, BOM savings and lower assembly costs. These are recommended for hard and soft switching fly back topologies for LED Lighting, low power Chargers and Adapters, Audio, AUX power and Industrial power.

It comes with Fully optimized portfolio

Integrated Zener Diode ESD protection

Infineon CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 1.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R3K3P7ATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง